高気圧沿面放電による太陽電池用電極溝の作製
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概要
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We proposed a low-cost plasma process technique to fabricate narrower front electrode grooves on a single crystalline silicon solar cell, in which the surface discharge operated at high-pressure etched the silicon nitride film of 150 nm thickness on a silicon layer. The results showed that the surface discharge could effectively etch the silicon nitride film in a short time and that a high etching rate more than 3000 nm/min was obtained. The narrow and uniform grooves with the width of less than 70 μm were obtained when the pressure in a chamber, the back electrode length and the etching time were 152 kPa, 2 mm and 10 s, respectively. The narrower electrode groove could be obtained when the back electrode length was short and the pressure was high.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-12-01
著者
-
大坪 昌久
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
迫田 達也
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
大坪 昌久
宮崎大学
-
迫田 達也
宮崎大学
-
濱田 俊之
宮崎大学大学院農学工学総合研究科
-
荒川 純一
宮崎大学大学院工学研究科
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