PLD法によるDLC被膜形成 : Si-Cターゲットを用いた中間層の形成
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概要
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- 2008-01-15
著者
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中山 斌義
近畿大学理工学部電気電子工学科
-
中山 斌義
近畿大学大学院総合理工学研究科
-
中山 斌義
近畿大学・理工
-
片山 博貴
近畿大学大学院 総合理工学研究科
-
北川 正憲
近畿大学大学院 総合理工学研究科
-
溝口 佳宏
近畿大学大学院 総合理工学研究科
-
片山 博貴
近畿大学大学院総合理工学研究科
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