Fabrication of Periodically Domain-Inverted AlGaAs Quasi-Phase-Matched Devices by GaAs/Ge/GaAs Sublattice Reversal Epitaxy
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概要
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- 2000-08-28
著者
-
近藤 隆
富山医科薬科大学医学部放射線基礎医学教室
-
近藤 隆
富山医科薬科大学生命科学実験センター
-
Kondo Takashi
Department Of Radiological Sciences Graduate School Of Medicine And Pharmaceutical Sciences Universi
-
Kondo T
Technology Development Division Victor Company Of Japan Ltd. (jvc)
-
ITO Ryoichi
Department of Physics, Meiji University
-
KOH Shinji
Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo
-
SHIRAKI Yasuhiro
Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo
-
Kondo T
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Koh S
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
-
Kondo Takashi
Department Of Diagnostic Radiology Tohoku University School Of Medicine
-
Shiraki Yasuhiro
School Of Fundamental Science And Technology Keio University
-
Shiraki Y
Research Center For Silicon Nano-science Advanced Research Laboratories Musashi Institute Of Technol
-
Koh S
The University Of Tokyo
-
Ito R
Meiji Univ. Kawasaki
-
Ito R
Iwate Univ. Morioka Jpn
-
Ito Ryoichi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Koh Shinji
Research Center For Advanced Science And Technology (rcast) The University Of Tokyo
-
Kondo Takashi
Department Of Chemical Engineering Waseda University
-
Shiraki Yasuhiro
Research Center For Advanced Science And Technology (rcast) The University Of Tokyo
-
Ito Ryoichi
Department Of Applied Physics Faculty And Engineering University Of Tokyo
-
Kondo Takashi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Kondo Takashi
Department Of Agricultural Chemistry The University Of Tokyo
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