電界吸収型光変調器を集積した半導体モード同期レーザ
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概要
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電界吸収型光変調器を集積した能動モード同期半導体レーザの基本構成と特性を理論的, 実験的に明らかにする.帯域が異なる分布ブラッグ反射器を集積した1.55μm帯40GHz半導体モード同期レーザについて, 数値計算による解析結果と実験的に評価した結果について述べる.分布ブラッグ反射器の帯域拡大により光スペクトルが拡大し, 異常分散による線形圧縮後のパルス幅が1.6psの短パルス発生が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-01
著者
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