国際半導体技術ロードマップ(ITRS2001)報告 : 微細化はさらに1年前倒し, しかし2005年には大きな壁が

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 2002-10-10

著者

• 吉見 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉見 信

  株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部

• 福島 敏高

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

関連論文

• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• 高効率発光ダイオード
• 高誘電率材料および強誘電体のシリコンLSIへの応用
• 国際半導体技術ロードマップ(ITRS2001)報告 : 微細化はさらに1年前倒し, しかし2005年には大きな壁が
• 最近のSOI(silicon-on-insulator)素子技術

スポンサーリンク