自己バイアスを消去したRFプラズマの特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本真空協会の論文
• 1993-06-20

著者

• 田畑 収

  Thin Film Lab.

• 松木 雄二

  イワタニプランテック株式会社

• 杉田 武治

  イワタニプランテック株式会社

• 米尾 秀美

  イワタニプランテック株式会社

• 荒木 那善

  岩谷産業株式会社

• 田畑 収

  イワタニプランテック株式会社

• 荒木 那善

  岩谷産業(株)

• 田畑 収

  イワタニプランテック (株)

関連論文

• 高周波及び直流スパッタリングによる200℃ガラス基板上への ITO 透明導電膜の形成
• 光励起化学蒸着法によるSnO_2の成膜 : 紫外光の照射効果
• 自己バイアスを消去したRFプラズマの特性
• ACフリ-マン・イオン源のイオン・ビ-ム発生特性(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
• パルス放電プラズマ化学気相成長によるAl基板上へのダイヤモンドの形成
• Low Temperature Preparation of SnO2 Film by Photo CVD with Sn(CH3)4-O2 or O3 System.

スポンサーリンク