Siウエハポリシング面のAFMによるあらさの評価(第11報) SiO_2探針による加工法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-03-01
著者
関連論文
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第3報 装置の基本特性
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第2報 基本構成
- インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第1報 基本概念
- インテリジェントCMPの開発〔含 英文〕 (新しい地球環境と豊かなネットワーク社会を生み出す半導体技術) -- (セッション4 多層配線/エッチング--Cu/Low-k実用化が進む中での多層配線/エッチング技術動向)
- 超微細砥粒の電気泳動現象を利用したシリコンウェーハのインフィード研削
- 全自動精密研削装置(GNX200)の開発
- 大口径シリコンウェハ用平面研削盤「GRIND-X:SVG-201D」 (特集 研削・研磨の最新技術を見る) -- (第2部 ハイレベル加工を実現する研削盤・研磨盤)
- 全自動精密ポリシング(CMP)装置の開発
- 大口径ウェーハ(12インチ)超精密研削盤の開発
- 高移動速度ロータ型CMP装置の試作と基本特性
- Siウエハポリシング面のAFMによるあらさの評価(第12報) コンタミネーションの評価
- テトラ-メチル-アンモニウム-ヒドロキシド(TMAH)を用いたシリコンウェーハの研磨加工及びAFMによる原子スケール加工の研究
- Siウエハポリシング面のAFMによるあらさの評価(第11報) SiO_2探針による加工法
- テトラ-メチル-アンモニウム-のEMCポリシング (電気機械化学作用複合研磨)
- 埼玉(さきたま)古墳からの出土品(金錯銘鉄剣)の再現加工に関する研究
- AFMにより測定したシリコンウエハポリシング面粗さのフラクタル解析
- Siウエハポリシング面のAFMによるあらさの評価(第10報)TMAHを用いたポリシング法の研究
- Siウエハポリシング面のAFMによるあらさの評価(第9報)TMAH水溶液中による加工
- AFMによる原子スケール加工法の研究
- 電気的に加工を制御した, 機械, 化学作用複合ポリシング法の研究
- シリコンウエハのポリシング用研磨布の評価と平坦度の向上
- 原子間力顕微鏡
- シリコンウェハのポリシングに関する表面あらさ問題
- ポリシングにおける研磨布の粘弾性値測定(機械商売とマネジメント)