r. f. スパッタリング法による酸化物薄膜のモル成膜速度とその形態
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概要
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Thin films were prepared by r. f. sputtering using 21 kinds of oxides as target. The molar deposition rate and morphology of sputtered oxide films were measured on the basis of SEM and XRD. The factors which decided the molar deposition rate of sputtered oxide films were discussed in terms of the momentum transfer process, the thermal evaporation process, and the crystal structure of oxide. As a result, we classified the oxides in (Ą) Coulombs force (binding energy) dependence type, (˘) vapor pressure dependence type, and (Ł) Madelung constant dominant type. We classified the morphology of sputtered thin films in (ź) amorphous-, (˝) amorphous + crystal-, and (ž) crystal-non-decomposition type, and (ż) amorphous-, (Ŕ) crystal-, and (Ă) crystal + sub oxide formation-decomposition type.
- 社団法人 資源・素材学会の論文
- 1998-06-25
著者
-
森永 健次
九州大学大学院総合理工学研究院 融合創造理工学部門
-
升田 裕久
九州大学大学院総合理工学研究科量子プロセス理工学専攻
-
森永 健次
九州大学大学院総合理工学研究科
-
MORINAGA Kenji
九州大学大学院総合理工学研究科材料開発工学専攻
-
村田 貴広
九州大学大学院総合理工学研究院融合創造理工学部門
-
村田 貴広
九州大学大学院総合理工学研究院 融合創造理工学部門
-
田代 博文
九州大学大学院
-
升田 裕久
九州大学大学院総合理工学研究科量子プロセス理工学
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