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Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center | 論文
- 有限要素法による多層磁気シールドルーム開口部の漏洩磁界に関する検討
- 磁気シールドルーム開口部の漏洩磁界に関する検討
- 化合物半導体界面におけるバンドアラインメントとフェルミ準位ピンニング
- Selective molecular beam epitaxy growth of size- and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism
- Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure
- Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- Large reduction of leakage currents in AlGaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- Characterization of Surface Conductive Diamond Layer Grown by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
- Synthesis of β-SiC Layer in Silicon by Carbon Ion 'Hot' Implantation
- Structural Properties of Silicon Oxide Films Prepared by the RF Substrate Biased ECR Plasma CVD Method
- Properties of Silicon Oxynitride Films Prepared by ECR Plasma CVD Method : Surfaces, Interfaces and Films
- Hydrogen Concentration and Bond Configurations in Silicon Nitride Films Prepared by ECR Plasma CVD Method
- 編集にあたって
- 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
- 発展する量子エレクトロニクス応用
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座 : 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用