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Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn | 論文
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Analytical Study of the Performance of Electrodynamic Tether Orbit Transfer System with Consideration of Lifetime by the Impact of Space Debris
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 筑波大学における陽子線治療の初期治療成績
- Influence of Thermal Annealing on GaN Buffer Layers and the Property of Subsequent GaN Layers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- In situ observation of composition profiles in the solution by X-ray penetration method
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 連続チャージ引き上げ法による非調和組成融液からのニオブ酸リチウム単結晶作成とその光学特性(LN,LT結晶の育成と光損傷)
- Computer Simulation of Measurement of Ultrasound Attenuation Coefficient by Broad Band Continuous-Echo Technique (Gamma Variate Method) : Medical Ultrasonics
- Acoustic Pulse Generation in Water by Pulsed Proton Beam Irradiation and its Possible Application to Radiation Therapy : Medical Ultrasonics
- Acoustic pulse generation in excised muscle by pulsed proton beam irradiation and the possibility of clinical application to radiation therapy
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