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Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ | 論文
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- Preparation of aluminum oxide films at low temperatures by a hot wall technique
- Properties of Sputter-Deposited CdS/CdTe Heterojunction Photodiode
- Carrier Transport Properties of Sputter-Deposited CdS/CdTe Heterojunction
- Photo-Current Multiplication Phenomenon of Amorphous Silicon-Based Multilayer Photodiodes Fabricated on Crystalline Silicon Substrate : Semiconductors
- Laser Doping Technique for 2-6 Semiconductors,ZnSe and CdTe (第5回日韓台中情報ディスプレイ合同研究会(ASID '99)) -- (FED and EL Displays)
- Influence of Sulphidation Treatment on the Performance of Mid-Infrared InAsPSb/InAs Detectors
- Growth of p-type ZnSe Films by Radical Assisted MOCVD Method