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Ntt Lsi研究所 | 論文
- 電子顕微鏡その場観察とSTMによるMBE成長表面の評価
- Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
- SIMOX基板におけるSi/SiO_2界面のモホロジー
- 27p-R-9 走査電子顕微鏡によるMBE GaAs表面被覆率のその場測定
- 半導体結晶の融液成長
- 0.5μm画像用DSP
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
- 選択CVD-W電極を用いたSiGeベースHBTのプロセス技術と特性解析
- 高速・低電力ECL/CMOS変換回路
- 28a-L-5 磁場中の量子細線における伝導現象の解析
- 13p-DF-7 量子細線におけるポテンシャル揺らぎの効果
- 半導体素子のモデリングとシミュレーション研究会
- 27a-P-2 バリスティック量子細線における準束縛状態II
- 半導体素子のモデリングとシュミレーション研究会
- コンダクタンス量子化における散乱の効果
- 31a-N-6 一次元量子細線における分岐の散乱行列
- 31a-N-6 一次元量子細線における分岐の散乱行列
- 2.0V-Gbit/s動作Siバイポーラ論理回路 : CMCL
- 2V動作Gbit/s低電力Siバイポーラ論理回路 : Current Mirror Control Logic (CMCL)