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Nttフォトニクス研究所 | 論文
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- B-10-70 複数チャネル可変光分散補償器を用いた広波長範囲における高精度な40Gb/s級信号分散補償の光トランスペアレントネットワークへの適用検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 光集積回路用低損失InP光導波路の検討(光エレクトロニクス)
- 低温成長半導体全光型スイッチを用いた超高速DEMUX
- 可飽和吸収体光ゲートを用いた10 Gbit/s全光識別実験
- 含フッ素ポリイミドによる光導波路フィルムの特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- C-3-56 全フッ素化ポリイミドを用いた3波WDMフィルタのモジュール化と温湿度特性(C-3. 光エレクトロニクス(ポリマー導波路), エレクトロニクス1)
- C-3-55 高屈折率差フッ素化ポリイミドフィルム光導波路の曲げ特性(C-3. 光エレクトロニクス(ポリマー導波路), エレクトロニクス1)
- C-3-60 全フッ素化ポリイミド光導波路の特性[III] : 3波WDMフィルタの温度および湿度特性(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-59 全フッ素化ポリイミド光導波路の特性[II] : シリコンならびにポリイミド基板を用いて作製されたフィルム導波路(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-58 全フッ素化ポリイミド光導波路の特性[I] : 光配線用フィルム光導波路の曲げ特性(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 積層高分子導波路ホログラムROM
- 光通信デバイス用ポリマー光学材料(有機材料・一般)
- 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- B-10-84 ファブリペロー電気光学変調器を用いた高安定な40GHzパルス列の発生(B-10. 光通信システムB(光通信))
- C-3-42 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[IV] : ポリイミドWDMを用いたスケーラブルネットワーク(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-41 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[III] : ポリイミド8ch-CWDMとADM(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-40 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[II] : 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路とCWDMへの適用(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
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