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Nttフォトニクス研究所 | 論文
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上 : 気相成長II
- 共鳴トンネル3値量子化回路を用いた超高速アナログ・デジタル変換器
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- 高分解能KTN光ビームスキャナの実現 (特集 KTN結晶とその応用技術)
- フォトニックMPLSルータ光スイッチ機能部の高密度・高信頼化技術(フォトニックネットワークシステム/制御,GMPLS,一般)
- フォトニックMPLSルータ光スイッチ機能部の高密度・高信頼化技術(フォトニックネットワークシステム/制御, GMPLS, 一般)
- KTN単結晶を用いた高速可変焦点レンズ (特集 KTN結晶とその応用技術)
- B-10-64 広帯域なチャネル抑圧比を有する波長選択フィルタによるチャネル内クロストークの抑圧(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-78 40Gbit/s NRZ-DQPSK信号のDGD耐力改善と50GHz間隔ROADMノード通過特性(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-10-7 40G光伝送用電気分散補償(DFE)IC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
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