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Nttフォトニクス研究所 | 論文
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 石英導波路を用いたフォトニックネットワーク用光スイッチ技術(フォトニックネットワークシステム/制御,GMPLS,一般)
- 石英導波路を用いたフォトニックネットワーク用光スイッチ技術(フォトニックネットワークシステム/制御, GMPLS, 一般)
- 石英系導波路を用いた高消光比8連1×8スイッチ
- シリカコア光ファイバの熱処理によるレイリー散乱の低減
- 並列光インタコネクションモジュール用ポリマー光導波路部品
- R&Dホットコーナー ソリューション 100ギガビットイーサネット用変調器集積光源
- R&Dホットコーナー ソリューション 低消費電力1.55μm EADFBレーザ
- 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-20 高結合係数回折格子を有する位相制御波長可変DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- CS-4-8 長波長帯埋込み面発光レーザの開発(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- C-4-31 チャープしたラダーフィルタを用いる半導体波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-58 モノリシック集積型WDM用8ch光変調素子の80Gb/sスループット動作(光モジュール)(C-3.光エレクトロニクス)
- ラダー型フィルターとリング共振器を用いた波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- モノリシック集積型多チャンネル変調素子(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- p形GaNショットキー接触の障壁高さ
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