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Nec システムデバイス研 | 論文
- O.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループ ポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 0.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発
- LSIにおけるシグナルインテグリティ問題と対策 : LSI性能の継続的な進化のために
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- 単一磁束量子を情報担体とする超高速論理回路
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- 内部高速化SFQ Batcher-Banyan網の提案と性能評価
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- SFQパルスアービタ回路の動作実験
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- 高温超伝導伝送線路を用いたインタコネクションと遅延線メモリの提案
- YBaCuO薄膜の表面抵抗のCu組成依存性
- ジョセフソンデジタルLSI技術の進展
- 3-2 デシミクロンCMOSシステムLSIの低消費電力技術とチップアーキテクチャ (3. 基盤技術)
- CBS-2-7 超80Gb/s光通信用IC技術(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
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- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- MRAM : 不揮発性RAMの実現に向けて
- C-10-2 InP HBTを用いた100Gb/s 1:2 DEMUX(C-10.電子デバイス,一般講演)