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NTT物性研 | 論文
- GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
- ファイバブラッググレーテイングによる波長安定化1.016μmInGaAs歪量子井戸レーザと1.3μm帯Prドープ光ファイバ増幅器への応用
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプPDFAモジュールの開発
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
- 高利得・1.3μm帯ファイバ型光増幅器
- 1.3μm帯Pr^添加ふっ化物ファイバ増幅器の増幅諸特性
- 高利得・半導体レーザ励起1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 1.3μm 帯光ファイバー増幅
- 1.3μm 帯用光ファイバー増幅器の現状
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- 25pT-8 GaAs(001)表面におけるダイナミクス : 4×2表面超構造の消滅過程の観察
- 24aPS-16 GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光 : 表面成分の観測
- 23aM-12 Photoemission experiment for Co film on Se/GaAs(001) : Study of satellite structures in Co- and Ga-3d spectra