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NTT物性基礎研 | 論文
- 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
- 22aTL-9 非対称ポテンシャルによるν=2/3 核スピン偏極抑制効果の電流依存性
- 22aTL-8 ν=2/3 における単一ポテンシャル障壁によるヒステリシス
- 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
- 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
- 31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性
- 第2回ナノスケール分光法とナノテクノロジーへの応用 : 国際ワークショップ報告
- 25pPSA-14 第一原理計算によるPt薄膜の磁性(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- '97分析機器展見聞記
- カーボンナノチューブのコヒーレントフォノン
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 22pTH-4 並列結合縦型ダブルドットの輸送特性
- 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
- 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
- 25pC-4 Synchronization of a chaotic pulsation of two-mode laser with its prerecorded history
- 26p-N-8 (DI-DCNQI)_2M(M=Ag,Cu)の光電子分光II
- 1p-PSB-16 二次元伝導体 RPtAs(R=Ce,La)の光学伝導度の異方性
- 30a-YP-8 (DI-DCNQI)_2M(M=Ag,Cu)の光電子分光
- 29p-YN-6 シリコンクラスターの誘電率と励起子構造