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NTT物性基礎研 | 論文
- 28a-J-3 Siクラスター励起子とそのスピン構造
- 28a-G-12 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造II(実験)
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 18aYJ-11 磁場中の球状量子ドットにおける新たな殻構造
- 27aTB-3 磁場中の三次元量子ドットにおける電子状態計算
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 29pYA-2 長距離相互作用を持つスピン系と結合したスピンキュービットの緩和現象
- 26aZE-7 三次元光格子中Bose-Fermi混合原子気体のself-trapping効果(量子エレクトロニクス(Fermi粒子系,及びBose-Fermi混合系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- CI-2-3 シリコン細線光導波路における光非線形現象とその応用(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン細線導波路を用いた量子もつれ光子対発生 (特集 新世代通信を拓くシリコンフォトニクス技術)
- 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 31aZK-5 可変トンネル障壁を有する量子細線の電気伝導
- 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
- 24aYT-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13pYB-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測(量子ホール効果, 領域 4)
- 21aTA-13 直列二重ドットにおけるコヒーレント伝導(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-12 少数電子並列結合ダブルドットにおける結合及び反結合軌道の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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