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NTT物性基礎研 | 論文
- 30aXC-3 磁束量子ビットの縮退点近傍でのコヒーレンス時間(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pXK-8 単一原子検出用フォトニック結晶共振器の設計(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
- 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
- FRET (Fluorescence Resonance Energy Transfer) 分光法における蛋白機能性の出現機構
- 27pPSA-15 Pdナノワイヤーにおける強磁性発現機構の第一原理計算による研究(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27aZF-1 超伝導アトムチップの捕捉安定性(量子エレクトロニクス(量子縮退気体),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28aTX-4 量子ホール状態における電子波束伝播の時間分解測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 量子ホール効果とスピン--ランダウ準位交差におけるIsing量子ホール強磁性と電子スピン-核スピン相互作用
- 26aYG-8 InAs(111)A表面における不規則ポテンシャル誘起電子トラップの低温走査トンネル顕微鏡観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aTK-8 高ランダウ準位におけるストライプ・バブル相のフォトルミネセンス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-7 2層系v=1量子ホール状態におけるナイトシフト測定(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-12 傾斜磁場を用いた二層V_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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