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NTT物性基礎研 | 論文
- 27aXC-2 Sr_2RuO_4-Ru共晶体における常伝導体/異方的超伝導体接合の電気伝導(Ru酸化物)(領域8)
- 酸化物超伝導体の下部臨界磁場と磁化曲線
- 6a-Y-10 (La, Sr)_2CuO_4単結晶の常伝導、 超伝導特性の異方性
- 3p-Z-7 LSCO単結晶のH_及びJ_cの異方性
- 3a-Z-4 高温超伝導転移の広幅化とジャイアント・フラクチュエーション
- 機械的振動をナノスケールまで微細化すると何が起こる? ナノメカニカル素子の物理と応用
- 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29a-ZH-1 量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C
- 28aSD-1 エルビウム・ドープ・グラスファイバーの長尺化によって誘起された透明化現象(28aSD 量子エレクトロニクス(量子情報・イオントラップ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pXA-10 電子ドープ高温超伝導体La_Ce_xCuO_4薄膜の磁場下における超伝導臨界ゆらぎ(高温超伝導(輸送現象,電子相図),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19pWP-4 電子ドープ高温超伝導体La_Ce_xCuO_4薄膜のマイクロ波伝導度(19pWP 高温超伝導(輸送現象,置換効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 電気的手法による量子ドット中のスピン量子ビット操作
- 17pTB-6 ソリトン型ポテンシャルを用いた単一光子生成 II
- 28aYN-3 ソリトン型ポテンシャルを用いた単一光子生成
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