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NTT物性基礎研 | 論文
- 25pT-8 GaAs(001)表面におけるダイナミクス : 4×2表面超構造の消滅過程の観察
- 24aPS-16 GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光 : 表面成分の観測
- 23aM-12 Photoemission experiment for Co film on Se/GaAs(001) : Study of satellite structures in Co- and Ga-3d spectra
- 24pW-1 GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析
- 25aYC-8 GaAsのGa 3d二正孔状態の共鳴光電子分光
- 28a-YR-9 Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の内殻準位光電子分光
- 2a-YF-7 In/GaSb(001)初期界面構造のRHEEDと内殻準位光電子分光による解析
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 8a-B-2 Sb/GaAs(001)の時間分解内殻光電子分光による解析
- 31a-J-6 リアルタイム光電子分光によるGaSb(001)成長表面の解析
- 放射光利用分析技術 (〔特集〕ナノエレクトロニクス材料の高度分析技術)
- InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性
- 31a-S-8 GaSb(001)再構成表面の光電子分光
- 18pYH-6 分数エッジチャネルにおける電子スピン-核スピン相互作用
- 27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
- 24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
- 通信波長帯単一光子・エンタングル光子対の生成と伝送
- 単層CNTの低エネルギー照射損傷