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NTT基礎研 | 論文
- 30p-X-4 サイクロトロン共鳴磁場での遠赤外光伝導
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_8イントリンシックジョセフソントンネル接合の非線形特性と擬ギャップ
- 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
- 29a-YD-8 イオン照射した高温超伝導体の欠陥生成における速度効果
- 28p-YQ-5 光電子スペクトルの二次元角度分布 : 1T-TaS_2の場合
- 29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
- 50, 100keV H^+に対するSi(001)2×1:Sb表面における阻止能とエネルギーストラグリング
- 27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
- 30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
- シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- LEEDとRHEED
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- 27a-PS-8 二次元ランダム反強磁性体Rb_2Co_cNi_F_4の磁気励起
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察