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NTT光エレ研 | 論文
- 2p-J-7 BaPb_Bi_xO_3(BPB)の応用
- 13p-C-1 BaPb_Bi_O_3薄膜粒界ジョセフソン接合の電磁波応答
- 4p-NF-4 BaPb_Bi_O_3薄膜の粒界ジョセフソン電流の特性
- InAlAs/InPタイプII多重量子井戸ダイオードの光双安定性
- InP/InAlAsタイプII超格子の電流磁気効果
- 石英系導波路における局所加熱位相トリミングの長期安定性
- 5p-PS-55 La_Sr_xCuO_の中性子小角散乱
- 5p-PS-46 Ba_2YCu_3O_単結晶の異方性
- 5p-PS-44 (La_Sr_x)_2CuO_単結晶における超伝導体積比率の増加
- 光非線形高分子材料 (高分子合成がらみの新素材)
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQWを用いた超高速光デバイス
- InGaAs/InGaAsP系電界制御型MQW双安定レーザの動作速度限界の解析
- 5p-PS-45 (La_Sr_x)_2CuO_4単結晶薄膜におけるホール係数および光学特性の組成依存性
- 27p-PS-6 La_eCuO_の粉末中性子構造解析
- 27a-RB-9 BaBiO_3のEXAFS
- 2p-B-9 BaPb_Bi_xO_3単結晶薄膜の電気的・光学的特性
- 13p-C-10 超伝導単結晶薄膜BaPb_Bi_xO_3の電気的特性
- RFスパッタ法によるBaPb1-xBixO3超伝導薄膜の作製
- (110)InP基板上のInGaAs/InAlAs MQWのMBE成長と光学的特性
- 5p-PS-43 La_2CuO_4の磁気抵抗