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NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 | 論文
- 30 円偏光照射によるα-メチルアミノ酸薄膜への不斉導入(一般講演,第34回学術講演会講演要旨集)
- A-21-13 実時間応用に向けた2-Mb/s UHF帯無線センサ端末(A-21.センサネットワーク,基礎・境界)
- 低消費電力の2.4GHz帯近距離無線用CMOS LSIに内蔵する送信用電力増幅器
- C-12-17 近距離無線用 LSI に用いる 2.4 GHz 帯 CMOS 電力増幅器
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- RF-CMOSの回路技術と将来展望
- SOI回路技術を適用した自然エネルギー携帯端末
- 高抵抗SOI基板を用いたCMOS低雑音増幅器の特性向上
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- LCタンクを用いたSOI低電圧RF回路
- CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作RF受信機
- CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作にRF受信機
- CMOS/SIMOX技術による1V動作2GHz帯RFフロントエンド回路 (「VLSI一般」)
- CMOS/SOIを用いた無線用低電圧回路技術 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- C-2-33 周波数レンジ切替機能を持つ6GHz帯低電圧CMOSモノリシックLC共振型VCO
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- SOI CMOSによる低電圧RF回路の試作・評価
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