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NTTフォトニクス研 | 論文
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InP HEMTを用いた46 Gb/sスーパーダイナミック型識別回路モジュール
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御(超高速・大容量光伝送/処理,波分散,及びデバイス技術,一般)
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- C-3-117 アンプ用テルライトファイバモジュールの信頼性
- 1581-1616nmに増幅帯域を有するテルライトEDFA
- 1.58-μm帯Er^添加テルライトファイバ増幅器の温度依存性
- 高濃度Tm^添加光ファイバ増幅器の増幅特性
- S帯ツリウム添加光ファイバ増幅器の新規利得スペクトル制御法
- C-3-68 高濃度 Tm 添加 TDFA における温度変動時の利得制御
- C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
- 3419 飽和溶融帯移動法(TLZ法)結晶成長における融液内対流抑制の重要性(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 17aA07 In_xGa_As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性