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NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社 | 論文
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 超低消費電力PLC光VOAスイッチ(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,(OFC報告),一般)
- C-3-87 紫外光照射による石英系AWGの波形傾き補正(C-3. 光エレクトロニクス(AWG), エレクトロニクス1)
- Si・Erを共添加したSiO_2膜の導波路型光増幅器への応用
- Si・Erを共添加したSiO_2膜の導波路型光増幅器への応用(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- フェムト秒レーザによる石英系平面型光波回路の低損失導波路インターコネクション技術(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2004年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 小型・低消費電力PLC型1xN光スイッチ
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 大規模アレイ導波路格子
- 大規模アレイ導波路格子
- C-3-10 紫外レーザー光照射によるMZI-AWG集積PLC波長合分波器中心波長制御
- 平坦なSi基板上に作製したPLCによる光送受信モジュール
- 低損失1×32ch石英系AWGモジュール
- Si・Erを共添加したSiO_2膜の導波路型光増幅器への応用(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- Si・Erを共添加したSiO_2膜の導波路型光増幅器への応用(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
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