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NEC Corporation | 論文
- 1GHz無制限位相調整が可能なディジタルDLL
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- B-8-12 GE-OSANにおける光パケットスイッチを用いた光スイッチングモジュール試作機の構成と評価(B-8.通信方式,一般講演)
- A Clock Generator with Clock Period, Duty-Ratio and I/Q-Balance Adjustment Capabilities for On-Chip Timing-Margin Tests
- 427 弾性薄板に作用する衝撃圧力分布の逆解析
- B-10-53 チューナブルフィルタを用いた階層化ノードのコスト消減効果検討
- BS-3-9 Cell-edge User Throughput Improvement for LTE-Advanced Uplink
- BS-4-10 Wireless Access Schemes for LTE-Advanced Uplink
- Three-Terminal Device Based on the Current-Induced Magnetic Vortex Dynamics with the Magnetic Tunnel Junction
- E-135 全球非静力学モデルを用いた温帯低気圧ライフサイクルの高解像度実験
- 消費エネルギー最小化のための最適電源電圧決定回路(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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- 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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- 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- サブ100nm世代におけるGHz動作SRAMマクロのためのセンス方式(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
- Application of Microwave and Millimeter-Wave Circuit Technologies to InGaP-HBT ICs for 40-Gbps Optical Transmission Systems(Active Devices/Circuits,Microwave and Millimeter-Wave Technology)
- Absorption Saturation of Intersubband Transition in InGaAs/AlAsSb Quantum Well Characterized by Absorption Spectral Analysis(Semiconductors)
- SC-12-7 2.125Gb/s BiCMOS ファイバチャネル送信LSI
- 128-PEと16-Mb DRAMを集積化した並列画像処理メモリ
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