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NEC基礎・環境研 | 論文
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 水素終端されたSi(100)表面上に自己形成される"分子ワイヤー"
- 31a-D-4 グラファイト表面の電子ビーム加熱による変化
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 19aXA-5 トポロジカルな線状欠陥を持つナノチューブの電子構造とエネルギー論(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 17aWD-2 W(001)表面上のWO_2表面化合物に関する計算
- 27a-YE-3 誘導体球のWhispering Gallery Modeと原子との相互作用II
- 単一微粒子と光の相互作用 : 最近の理論的進展
- 近接場光学の物理 : 微視的・非局所応答の視点から
- 7p-J-14 誘電体球のWhispering Gallery Modeと原子との相互作用
- 28p-YE-11 表面上に置かれた原子・分子の輻射幅
- 共鳴SNOMの非局所応答理論 : 局所的な半無限媒質上の微粒子集合体
- 1a-X-6 走査型近接場光学顕微鏡の非局所応答理論 : 局所的な半無限媒質(基板)の効果
- 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
- 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
- 第1回NECシンポジウム : マイクロクラスター