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Jrcat-atp | 論文
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- バンド計算法の最近の発展-1-
- 13a-W-14 人工層状物質の原子配列の解析:Fe-V
- 30a-Q-3 人工超格子磁性体の電子構造
- 3a-BC-4 層状人工格子の磁気モーメント分布の計算
- 1a-G-9 遷移金属の弾性定数の計算
- 1a-B-9 層状遷移金属合金の磁気モーメント分布の計算
- 31p-W-9 電子構造計算によるLaMnO_3のJahn-Teller歪みと磁気秩序
- 24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- 6a-B-10 Si(100)表面の無障壁酸化
- Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
- 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
- 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
- 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
- Si微結晶のSi(001)表面移動現象の観察
- 28p-PSB-18 μ-RHEED/STMによるGa吸着Si(111)表面の観察
- 25a-Y-7 Ga/Si(111)表面へのSi-MBE成長 II
- 25a-Y-2 輻射加熱によるSi/Si(001)エピタキシャル成長過程の観察