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JAIST | 論文
- 28pPSA-37 磁性金属ナノ微粒子を用いた磁気メモリー応用への試み II
- 28aTC-4 M_xTaS_2 (M: 3d 遷移金属)における特異な輸送現象
- アスペクト指向設計モデルの一提案(組込み・アスペクト指向)
- ソフトウェアアーキテクチャのためのアスペクト指向分析
- 21aTH-10 層状物質η-Mo_4O_が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- CeRh2Si2の高圧下中性子散乱 (「極端条件下における中性子回折・散乱」第2回ワークショップ報告書)
- 12pPSA-2 室温強磁性 Mn ドープ GaN の研究(領域 4)
- 17pYH-10 希薄磁性半導体(GaMn)NにおけるMnの局所構造と電子状態の解析-XAFS測定
- 7p-YF-5 Ce(Ru_Rh_x)_2Si_2におけるspin fluctuationと相転移
- 29pXB-6 TbNiSn単結晶の磁場誘起磁気構造
- 28p-PSB-18 Ce(Ru_Rh_x)_2Si_2におけるスピンのゆらぎ
- 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYD-2 有機芳香族分子電界効果トランジスタの低電圧駆動と界面制御(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 2p-YG-5 モリブデン酸化物とブルーブロンズの電荷密度波状態におけるコヒーレントフォノン
- 区間表現からMPQ-treeを効率よく構成するアルゴリズム
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