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Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University | 論文
- D214 黄砂と成層圏-対流圏輸送の同時発生,及びその空気塊のアラスカ・ランゲル山への輸送 : 2001年4月の事例解析(エアロゾル)
- A Two-stage Catalytic Process with Cu-Pd Cluster/Active Carbon and Pd/β-Zeolite for Removal of Nitrate in Water
- オホーツク海氷の自己増殖作用のAGCM, OGCMによる検証
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- 酸性環境における微生物を媒介とした黄鉄鉱の溶解に対する天然有機酸の阻害効果
- 好気的環境下における微生物を媒介とした黄鉄鉱溶解の天然有機物による抑制
- Future of Heterostructure Microelectronics and Roles of Materials Research for Its Progress(Plenary,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- VARIATIONS OF ATMOSPHERIC CO_2 CONCENTRATION OVER SYOWA STATION, ANTARCTICA AND AIR TRANSPORT PROCESS
- 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
- A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
- 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
- 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network(Session4B: Emerging Devices II)
- Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
- Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures
- Multipath-switching device utilizing a GaAs-based multiterminal nanowire junction with size-controlled dual Schottky wrap gates