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Faculty Of Engineering Yamanashi University | 論文
- カーボンナノチューブにおける電界放出と表面エレクトロマイグレーションの動的観察
- 23aYF-10 二層カーボンナノチューブ束の通電破損のTEM中その場観察(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 太いCNT上に成長させた細いCNTとその電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 30aTE-3 カーボンナノチューブ表面上での電流誘起された金属移動のTEMその場観察(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aPS-34 In/Si(113)の表面再配列構造の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pUF-14 Nd;YAGレーザ照射による多層CNT五員環上の吸着分子の脱離(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aPS-37 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析IV(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pYF-10 内包単層カーボンナノチューブのNMR(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-13 CNT電界エミッタのin-situ TEMによる動的観察(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 15aPS-47 Ag/Si(111)√×√ 表面の低温構造の解析 III(領域 9)
- 14pXG-6 In/Si(113) の表面再配列構造の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- キラリティ選別のモデル : 有機分子を中心として(結晶成長とキラリティ)
- 24aWX-7 結晶成長におけるキラル対称性の破れ : ARSモデル(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- A Criterion for the Occurrence of Negative Resistance in Si P-π-n Diode
- 26a-P-7 5角12面体K_2Mn_2(SO_4)_3結晶の解析
- 25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRA-5 単層カーボンナノチューブバンドルの超高速励起子エネルギー移動(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- Position-Dependent Instability of Lithium-Drifted Silicon Detector
- Development of Lithium-Drifted Silicon Detectors Using an Automatic Lithium-Ion Drift Apparatus
- Stability of a Lithium-Drifted Silicon Detector
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