スポンサーリンク
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University | 論文
- Selective Area Growth of III-Nitride and Their Application for Emitting Devices
- Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE(Session 6B : Wide Bandgap Materials and Devices, Power Devices)
- Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE(Session 6B : Wide Bandgap Materials and Devices, Power Devices)
- 一枚の非点電子顕微鏡写真からの空間及び時間コヒーレンス関数の同時決定
- Synthesis and characterization of nano ZnO and CdO
- Simulation of Compositional Variation in Liquid Phase Epitaxy InGaP Using a Two Dimensional Model
- Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO_2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 4極スパッタによって製作されたGbCoアモルファス薄膜の磁気特性
- ストライプ磁区構造をもつ磁性薄膜の磁化過程に対する磁壁移動抗磁力の影響
- MnBi薄膜の微細構造の電子顕微鏡的実験
- Transmission Electron Microscopy Investigation of Dislocations in GaN Layer Grown by Facet-Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth : Semiconductors
- Crystal Orientation Fluctuation of Epitaxial-Lateral-Overgrown GaN with W Mask and SiO_2 Mask Observed by Transmission Electron Diffraction and X-Ray Rocking Curves
- 低ヨウ素濃度を使用したGaSbの閉管法気相成長
- ZnTeへの不純物ドーピング : 気相成長
- Ga_xAl_1_-_xSbの液相成長における界面の浸食について
- Magnetic Anisotropy of Co/Pt Multilayers Evaporated on NaCl(100) Substrates
- Magnetic Properties and Structure of Co/Pt Multilayered Films Evaporated on Heated Substrates
- 三元および多元カルコパイライト型半導体のTHM成長
- 離散的に基底を可変とする関数表現の二乗誤差規範の下での統計的性質について
- 不純物添加・補償GaP結晶半導体における伝導帯端のエネルギーシフトの計算