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Department of Applied Physics Waseda University | 論文
- Si(111)Cu-"5×5"構造とドメイン方向の解析
- Si(100)水素吸着系におけるSingle domainからDouble domainへの相変化
- 3p-K-12 Cu/Si(110)表面構造のSTM観察
- 3a-J-10 Cu/Si(100)における表面偏析と表面構造のSTMによる解析
- 30a-PS-11 Si(001)微斜面のステップの挙動
- 30a-PS-6 Cu/Si(100)における表面再配列構造のSTM観察
- 31p-S-7 Bが偏析したSi(111)表面での金属成長過程のSTM観察
- 29a-J-6 Si(111)上のBの表面偏析過程のSTM観察
- 4a-Q-9 Si-B吸着系のSTM観察
- 2p-PSA-35 Si(001)微斜面上での多原子層ステップ
- 28pYP-5 マイクロ波球状トカマクのプラズマ電流を担う高速電子の速度および空間分布の計測(核融合プラズマ(磁場)(プラズマ生成),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- Glioblastoma Detected at the Initial Stage in its Developmental Process : Case Report
- 22aWE-3 高密度プラズマ中での超短パルスレーザーの吸収II
- 22pB-3 高密度プラズマ中での超短パルスレーザーの吸収
- 31p-XH-9 高強度超短パルスレーザー伝播におけるプラズマ密度勾配の影響に関する理論解析
- 30p-H-1 Si(001)上のPb薄膜のSEM、STMによる観察
- 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成