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静岡大学 工学部 電気・電子工学科 | 論文

• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上
• 銅電気接点対における開離時アークの分光特性
• 銅電気接点対における開離時アークの分光特性
• 銅やニッケル電気接点対での開離時アークの分光温度計測
• 銅電気接点での開離時アークの分光温度測定
• 銅電気接点での開離時アークの分光温度測定
• 表示装置における経時変化と加法の不完全性およびカラートラッキングに起因する色差を低減する色再現方法
• 表示装置における経時変化と加法の不完全性およびカラートラッキングに起因する色差を低減する色再現方法(エレクトログラフィー特別研究会-特集:紙面とディスプレイ画面に関わる先端技術動向)
• D-15-29 Tablet PCを活用した学習システムiHA-methodの改善(D-15.教育工学,一般講演)
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果
• 多原色表示装置における発光効率を考慮した色変換法
• 多原色表示装置における発光効率を考慮した色変換法(エレクトログラフィ特別研究会(紙面とディスプレイ画面に関わる先端技術動向))
• C-5-1 継電器搭載電気接点の損傷とバウンスと動作・復旧時間 : (その6)Dc42V-5Ω抵抗回路内での閉成責務Ag/Cd012wt%接点にできた突起の観察)
• C-5-4 制御継電器の電気接点損傷に関する数値評価研究 (その23) : 閉成責務動作Ag接点対における転移突起

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