スポンサーリンク
電気通信大学電気通信学部電子工学科 | 論文
- Lateral Growth on (110) GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition : Semiconductors and Semiconductor Devices
- 22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- マイクロプロセッサを用いた回転機のトルク - 速度特性曲線の描画システム
- ホットエレクトロン効果を考慮した微小トンネル接合二次元アレーの微分コンダクタンス特性
- Enhancement of Radiation Sensitivity by Glycerol in Human Cultured Anaplastic Thyroid Carcinoma
- Self-formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitaxy
- MO-CVDによる高抵抗GaAsエピタキシャル層
- MO-CVDによるGaAsのエピタキシャル成長
- 分布定数タップ結合λ/2・λ/4共振器を混在した多極BPFの伝送特性に関する検討(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- 分布定数タップ結合λ/2・λ/4共振器を混在した多極BPFの伝送特性に関する検討(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- VHF波(見通し外伝搬と雑音)強度の季節変化
- 木一文字列変換機について
- 転送スタックつきプッシュダウン・オートマトン : 関係代名詞節を含む英文翻訳の構文解析モデル
- Variation in Preferred Orientations of TiN Thin Films Prepared by Ion Beam Assisted Deposition
- Consideration of Deformation of TiN Thin Films with Preferred Orientation Prepared by Ion-Beam-Assisted Deposition
- B-2-44 CPC符号を用いたPCを前処理とする周波数軸上超分解能距離推定法(MC方式)(B-2.宇宙・航行エレクトロニクス,一般セッション)
- A Four-Band Hubbard Model for Doped CuO_5 and Related Clusters. Populations of Holes on Apex Oxygens Determined by the Full VB CI Method
- A Two-Band Hubbard Model for Clusters of Doped Copper Oxides and Other Metal Oxides: Populations of Holes and Spin Densities by the Full VB CI Method
- Extended Hubbard Models for Transition Metal Oxides and Halides: Importance of Spin and Charge Fluctuations in Charge Transfer Metals : Electrical Properties of Condensed Matter
- Microwave Properties of Y_1Ba_2Cu_3O_ Step-Edge Josephson Junction Series Arrays