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電気通信大学通信工学科 | 論文
- 直流スパッタリングによるハフニウムおよびその窒化物薄膜
- スパッタによるタングステン膜の特性と4 μmグレーティングの製作
- MO-CVDによる高抵抗GaAsエピタキシャル層
- MO-CVDによるGaAsのエピタキシャル成長
- イオン化注入GaAsの赤外線アニール
- MO-CVDによるGaAsエピタキシャル層へのSiおよびSeドーピング
- Bi系傾斜薄膜の作製
- イオンビームスパッタリングによるSrTiO_3/YBa_2Cu_3O_ ヘテロ構造の形成と特性
- 高温超伝導トンネル接合バリア用NiO_x薄膜の形成とヘテロ構造の作製
- 低エネルギーイオンビームクリーニングを用いたNb系超伝導ジョセフソン接合の作製
- Bi系高温超伝導膜への電界効果
- ストリップライン結合Josephson Junctionのマイクロ波応答
- 二陰極放電スパッタリングによるタンタル薄膜 : 薄膜
- カソードスパッタリングにおける端部効果
- X-Bandにおける表面波線路の結合(1) : 平行G-Lineのエネルギー移行について
- 薄膜ZnTeの特性と機構部品への応用
- CLOAPによるOKITACのラインプリンタの制御
- Gate-Controlled MOS Diodeの光応答特性
- 非結晶Se蒸着膜の光起電力および光伝導特性
- MOS-FETの光応答特性