スパッタによるタングステン膜の特性と4 μmグレーティングの製作
スポンサーリンク
概要
著者
-
今井 哲二
電気通信大学短期大学部
-
岡本 孝太郎
電気通信大学通信工学科電子部品学講座
-
山本 稔
電気通信大学
-
山本 稔
電気通信大学通信工学科
-
岡本 孝太郎
電気通信大学通信工学科
-
岡本 孝太郎
電気通信大学 通信工学科
関連論文
- イオン加速によるゲルマニウム薄膜
- 高抵抗非晶質セレン膜を用いた記憶素子
- As-Se-Te非晶質薄膜の性質
- クロライド系有機金属を用いた選択MOCVD法によるAlGaAs/GaAs系発光素子の作製
- スパッタによるタングステン膜の特性と4 μmグレーティングの製作
- MO-CVDによる高抵抗GaAsエピタキシャル層
- MO-CVDによるGaAsのエピタキシャル成長
- イオン化注入GaAsの赤外線アニール
- MO-CVDによるGaAsエピタキシャル層へのSiおよびSeドーピング
- 薄膜ZnTeの特性と機構部品への応用
- Gate-Controlled MOS Diodeの光応答特性
- 非結晶Se蒸着膜の光起電力および光伝導特性
- MOS-FETの光応答特性
- 和文入力に関する一考察
- イオン注入GaAsのランプアニール
- a-Si:H膜によるMESFET
- MOCVDによるGe/Si基板上へのGaAs成長
- Si基板上への単結晶Ge膜の成長
- CVDによるGaAsエピタキシャル成長
- 薄い熱酸化膜の特性
- MIS構造による負性抵抗特性
- AgInS_2結晶の成長と性質
- クロライド系有機金属を用いた選択MOCVD法によるAlGaAs/GaAs系発光素子の作製
- GaAsの反応性アトムビームエッチング
- Photoresponses of MOS Channel (II)
- Al(GaAs)発光ダイオードの試作
- MOSチャネルの光応答特性(第1報)