岡本 孝太郎 | 電気通信大学通信工学科電子部品学講座

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概要

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• 岡本 孝太郎

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

• 岡本 孝太郎

  電気通信大学通信工学科

• 岡本 孝太郎

  電気通信大学 通信工学科

• 今井 哲二

  電気通信大学短期大学部

• 井上 信市

  電気通信大学通信工学科

• 小形 孝角

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

• 山口 浩一

  電気通信大学

• 新井 良一

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

• 宮下 治三

  電気通信大学通信工学科

• 山口 浩一

  電気通信大学電気通信学部電子工学科

• 本間 俊彦

  電気通信大学通信工学科

• 長山 安治

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

• 山本 俊一

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

• 鵜飼 育弘

  星電器製造株式会社開発技術研究所

• 山本 稔

  電気通信大学

• 山本 稔

  電気通信大学通信工学科

• 小野沢 幸子

  電気通信大学通信工学科

• 栗原 伸明

  電気通信大学通信工学科

• 岡田 晋

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

• 島矢 勝久

  電気通信大学通信工学科

• 鵜飼 育弘

  星電器製造株式会社

• 湯川 禎蔵

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

• 浅野 恭典

  電気通信大学通信工学科電子部品学講座

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著作論文

• イオン加速によるゲルマニウム薄膜
• 高抵抗非晶質セレン膜を用いた記憶素子
• As-Se-Te非晶質薄膜の性質
• スパッタによるタングステン膜の特性と4 μmグレーティングの製作
• MO-CVDによる高抵抗GaAsエピタキシャル層
• MO-CVDによるGaAsのエピタキシャル成長
• イオン化注入GaAsの赤外線アニール
• MO-CVDによるGaAsエピタキシャル層へのSiおよびSeドーピング
• 薄膜ZnTeの特性と機構部品への応用
• Gate-Controlled MOS Diodeの光応答特性
• 非結晶Se蒸着膜の光起電力および光伝導特性
• MOS-FETの光応答特性
• イオン注入GaAsのランプアニール
• a-Si:H膜によるMESFET
• Si基板上への単結晶Ge膜の成長
• CVDによるGaAsエピタキシャル成長
• 薄い熱酸化膜の特性
• MIS構造による負性抵抗特性
• AgInS_2結晶の成長と性質

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