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阪大理物 | 論文
- 26pYH-1 SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYK-6 TEM-EELS/XESによるシリコンナノワイヤーの電子構造の研究(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aTA-6 CF_4プラズマによるSWCNTのフッ素化(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pWS-6 SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化のTEMその場観察(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
- 6a-YG-8 パルスESRによる年代測定法
- 4p-YG-9 自然超格子GaInPの無秩序化過程 : TEMその場観察
- 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
- 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
- 7a-S-9 シリコン結晶における自己格子間原子クラスター構造とその生成機構
- 6a-S-4 Si-Ge混晶の電子線低温照射欠陥
- 30p-E-8 Si-Ge混晶における電子線照射欠陥
- 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
- 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
- InPにおける点欠陥の拡散過程
- 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
- 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
- 22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 31a-E-14 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究
- 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察
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