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阪大・産研 | 論文
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 5p-T-7 Si(111)(√×√)-Al上のAl薄膜室温成長過程
- 25aYD-1 Li添加したαホウ素の動的安定性(クラスレート・ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pWF-9 αホウ素の不純物添加による金属化(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aTF-3 αホウ素の不純物添加による金属化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pTH-2 不純物添加した固体ホウ素の物性(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 高温耐酸化性保護膜を有するC/Cコンポジットの作製
- 3P-318 ビオチン-アビジン相互作用の分子認識力画像化(計測,第46回日本生物物理学会年会)
- 2P064 ヘムPASセンサーの酸化還元にともなう構造変化(ヘム蛋白質)
- 生体内分布促進作用を有する新規配合剤としてのスルホン酸誘導体の研究
- パルスレーザー堆積法によるCr-Cu-N-O薄膜の作製
- 19aPS-101 酸素の固溶添加によるCrNの正方晶化と電子構造(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- グラム腸性菌テトラサイクリン排出蛋白の保存性酸性残基の役割
- 膜不透過性SH試薬を用いた膜タンパク質親水性領域の配向性決定法
- 30aRC-1 ベータホウ素の高圧における構造(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
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