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阪大・産研 | 論文
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 27aXA-5 高圧下におけるアルカリハライド不純物中心のスピン軌道相互作用
- Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
- ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
- 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
- 3P149 F_1-ATPaseの回転とATP結合・解離のメカニズム(分子モーター)
- 2P272 脂質二重膜に再構成された膜タンパク質の1分子イメージング(バイオイメージング)
- 14aPS-83 F_1-ATPase の回転と ATP 結合・解離の協同的なメカニズム(ポスターセッション, 領域 11)
- 新しい全反射顕微鏡の開発と応用
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