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阪大・産研 | 論文
- 27pYD-3 遷移金属ダイカルコゲナイドのCDW相における電子状態(電荷密度波)(領域6)
- 27aYG-2 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価II(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 23aTH-12 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価 II
- 22aPS-78 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW 相における電子状態
- 28aYB-1 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW と電子状態
- 29aZK-7 第一原理計算を用いた物質のの熱電特性の評価
- 28aYC-12 GaN中のMg不純物とN-vacancyについての第一原理計算
- 28aYC-9 Si中のEr不純物の結晶場の第一原理計算
- 24pYP-6 Si中のEr不純物の第一原理計算
- 24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
- 24aX-13 BaTiO_3中3d遷移金属不純物の電子構造と磁性
- 23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
- 25p-T-14 InP中の希土類不純物電子状態のFLAPW法による計算
- 919 タンパク質中空ナノ粒子を用いる新規遺伝子導入法の開発
- 3P163 低温環境下で新たに発見されたF_1-ATPaseの反応中間体(分子モーター))
- 3P144 F1モーターに結合した基質の加水分解速度はγサブユニットの角度に依存する(分子モーター)
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)