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長岡技術科学大学 | 論文
- HIPを利用した高密度ペロブスカイトLaNiO_3の作製
- 1E20 LaNiO_3 の焼結性
- 半導体開放スイッチを用いたパルス高電圧発生器
- Cu_2ZnSnS_4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 入出力に直接電力制御法を適用したマトリックスコンバータの実験検証
- プレフィックス数の変動に基づくBGP障害リンク推定手法の提案(経路制御技術,インターネットと情報倫理教育,一般)
- アクティブ中性点クランプ形マルチレベルインバータの損失に関する一考察
- 6-3 受注型中小企業における経営計画に基づくマーケティング活動((社)日本品質管理学会第74回研究発表会)
- 120 SiC 長繊維強化金属基複合材料のじん性基準に関する一提案
- 20aWG-11 重イオン慣性核融合でのビーム照射不均一と爆縮シミュレーションコード(核融合プラズマ(強結合系/プラズマ応用),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 電解コンデンサレス電力変換器駆動IPMモータの繰返し制御による高力率制御法
- オッセオインテグレーテッドインプラントを維持源とした能動眼瞼付きエピテーゼの 1 例
- 能動眼瞼付きエピテーゼ : 眼輪筋表面筋電圧による瞬目検出法
- 斜面安定(模型実験)((1)斜面安定,7.地盤防災-豪雨,地すべり・落石,その他,第43回地盤工学研究発表会)
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
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