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豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 | 論文
- 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気 的特性の評価 (電子デバイス)
- Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 (電子部品・材料)
- Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 (シリコン材料・デバイス)
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 (電子部品・材料)
- GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- BCS-1-8 磁界共鳴方式における複数受電器へのマルチホップ電力伝送効率(BCS-1.新たな展開をみせる無線電力伝送技術とそれを支えるデバイス,シンポジウムセッション)
- BCS-1-8 磁界共鳴方式における複数受電器へのマルチホップ電力伝送効率(BCS-1.新たな展開をみせる無線電力伝送技術とそれを支えるデバイス,シンポジウムセッション)
- GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
- N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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