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筑波大院数物 | 論文
- 20pTC-3 [Mn(III) Cu(II)] 多核錯体の超常磁性
- 22aWB-5 分子性伝導体(EDO-TTFVO)_2X(X=FeBr_4,GaBr_4)の磁気抵抗(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aPS-64 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質III(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aXS-6 希ガス中レーザーアブレーションにより生成されたサイズ選別Siナノ粒子の発光機構(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 17pRF-10 高圧下における鉛ハロゲン層状ペロフスカイト型半導体の励起子状態
- 29pWB-5 高温高圧下における液体・固体水素のプリュアン散乱とラマン散乱
- 22pPSA-8 Fe_xNbS_2 の角度分解光電子分光
- 30pPSA-10 Fe_xNbS_2 の軟 X 線分光
- 25aYD-10 層間化合物Fe_xNbS_2における伝導キャリアの磁気散乱
- 20pWF-9 高温高圧下における液体・固体水素のブリュアン散乱とラマン散乱II
- 第43回熱測定ワークショップ報告
- 20pXC-16 XAFS による負の熱膨張物質 Zr_In_W_2O_ の局所構造の研究
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- 25aPS-61 CdSeナノ粒子の高圧下光学特性におけるサイズ効果(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 2A06 異なる構造を持つキュービック液晶相の熱容量(物理・物性)
- 22aZB-1 ANBC (22) の二つのキュービック相の熱容量
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