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筑波大学大学院数理物質科学研究科 | 論文
- 担持 Rh 触媒表面での N_2O 分解反応 - 活性の酸素被覆率依存性と酸素の脱離メカニズム -
- 担持Rh触媒によるN_2O分解反応 - 酸素の脱離メカニズム -
- 28aYE-2 ゲートによるグラファイトへの等方的キャリア注入(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
- 28aYE-1 折り畳まれたグラフェンの電子構造(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pYE-5 Pt吸着によるグラフェン上のエッジ状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- グラフェンにおける超伝導近接効果の理論(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 22pTA-3 電圧印加による2層グラフェンの再金属化(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 29pTE-3 グラファイト表面と白金微粒子との界面相互作用に関する研究(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aTE-4 グラファイト表面上でのHe原子線散乱角度分布(28aTE 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYH-10 グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYH-3 鉄触媒を用いた電気接触法によるカーボンナノカプセルの粒径と層構造(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aTA-2 その場電子顕微鏡法による非晶質カーボンナノ接点の観察(20aTA グラフェン・グラファイトの形成と評価I,領域7(分子性固体・有機導体))
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