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福井大学工学研究科システム設計工学専攻 | 論文

• AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 弾塑性ばねに支持された剛な建物の地震時転倒限界(構造)
• AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 20030 弾塑性支持反力を有する剛体建物の地震時転倒限界(積載・温度荷重ほか,構造I)
• 弾塑性支持反力を有する剛体建物の地震時転倒限界(構造・材料系)
• 20029 弾塑性支持反力を有する剛体建物の地震時転倒限界
• GaAs系HEMTのソース抵抗解析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• AlGaN/GaN HEMTのエンハンスメント動作の検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• テンプレート関数を用いたEuler-Lagrangeモデルの高精度化
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価
• AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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