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福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻 | 論文
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-2 2層金属埋め込み構造を有するGaNショットキーダイオードのオン電圧とリーク電流に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 AlGaN/GaNへテロ接合における接触抵抗低減に関する理論検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : 金属仕事関数依存性
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 分散型電源の連系が配電ネットワークに及ぼす影響の面的解析
- 配電系統における変電所LDCの最適整定値決定手法の検討
- 高等教育機関における技術者倫理教育のスパイラルアップに向けて : 平成21年電気学会全国大会シンポジウム報告
- 福井県講座「事例に学ぶ『技術と安全』」実施報告
- 技術者倫理フォーラムの活動と計画
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 分散型電源導入拡大に対応した復旧目標構成の決定手法
- センサ開閉器から得られる計測情報を活用した配電系統の電圧推定・制御手法の提案と実験的検証
- センサ開閉器情報を利用した複数台PCSによる配電ネットワークにおける総合電圧ひずみ率抑制方法
- LRTと太陽光発電システム群の力率制御による協調型電圧制御法
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